スマートフォン、PC、タブレット、サーバーをはじめとする様々な高機能電子機器に必要不可欠なプリント基板や半導体パッケージ基板には様々な表面処理薬品が用いられています。今後の更なる高機能化、小型化に必要な表面処理薬品を提供しております。
プリント配線板用めっき処理薬品
SAP･MSAP対応プロセス
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| 内層銅･回路形成前処理 | 銅粗化処理プロセス | NBSⅡ、NBSⅢ |
| 積層前処理 | 銅粗化処理プロセス | NBDⅡ |
| 銅薄膜化処理 | ハーフエッチ | HE-500、HE3-530 |
| ダイレクトレーザ前処理 | 硫酸･過水系プロセス | NBDL |
| デスミア～無電解銅（PTH） | 低粗度･高密着 | FEED |
| ドライフィルムレジスト前処理 | 銅粗化処理プロセス | NBSⅡ、NBSⅢ |
| ドライフィルムレジスト残膜除去 | プラズマ処理 | TAIKAI |
| 硫酸銅めっき前処理 | 酸性クリーナー | PB-242D、PB-268 |
| 酸性クリーナー | PB-242D PU、PB-242D PUS、PB-280 | |
| ビア充填硫酸銅めっき | フィルドめっき | CU-BRITE VF5 |
| フィルドめっき | CU-BRITE VL | |
| フィルドめっき | CU-BRITE VH | |
| スルーホール充填硫酸銅めっき | フィルドめっき | CU-BRITE TF4 |
| ハイスロー硫酸銅めっき | コンフォーマルめっき | CU-BRITE 21 |
| 平坦ポストバンプ硫酸銅めっき | 光沢硫酸銅めっき | CPOS（BT) |
| ドライフィルムレジスト剥離 | 非苛性系プロセス | RS-81 |
| SAP回路形成 | 無電解銅選択エッチング | SAC、SACⅡ |
| MSAP回路形成 | スペース部選択エッチング | FE-830Ⅱ |
| SR前処理 | 銅粗化処理プロセス | NBDⅡ |
| SR残膜除去 | プラズマ処理 | TAIKAI |
| パラジウム残渣除去 | シアンフリー･パラジウム除去 | FINELISE |
マルチレイヤー･ HDI対応プロセス
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| 内層銅･回路形成前処理 | 銅粗化処理プロセス | NBSⅡ、NBSⅢ |
| 積層前処理 | 銅粗化処理プロセス | NBDⅡ |
| 銅薄膜化処理 | ハーフエッチ | HE-500、HE3-530 |
| デスミア･残膜除去・ 酸化膜除去 | 高汎用性プロセス | ライザトロン |
| プラズマ処理 | TAIKAI | |
| 硫酸銅めっき前処理 | 酸性クリーナー | PB-242D、PB-268 |
| 酸性クリーナー | PB-242D PU、PB-242D PUS、PB-280 | |
| ハイスロー硫酸銅めっき | コンフォーマルめっき | CU-BRITE 21 |
| ビア充填硫酸銅めっき | フィルドめっき | CU-BRITE VL |
FPC･特殊基材 対応プロセス
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| 無電解ニッケルシード層形成 | ポリイミド用高密着プロセス | ELFSEED |
| 特殊素材無電解めっき | COPおよびその他の素材に適用 | AISL |
| パターン用硫酸銅めっき | パターン上部が平坦形状 | CU-BRITE RF |
| 整面処理 | DFR前処理、金めっき前処理 | SI、SH |
| メタライズ2層CCL用シード層除去 | Ni-Crシード層残渣除去プロセス | SEEDLON |
その他
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| 鉄－ニッケル合金皮膜形成 | めっき皮膜の物性、特にめっき皮膜の熱膨張率に優れている | INVALLOY |
電子部品用めっき処理薬品
前処理プロセス
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| 電解洗浄 | アルカリ性、ノンキレート | IC-200RM |
| エッチング | 銅、銅合金用、浸漬タイプ、環境規制物質を低減 | CHP-200 XM Ⅱ |
| 銅、銅合金用、浸漬タイプ、ハロゲンフリー | IC-320 | |
| 42アロイ用、浸漬タイプ、ハロゲンフリー | IC-313N | |
| コルソン系銅合金用、電解タイプ、ハロゲンフリー | CA-40P |
めっきプロセス
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| スズめっき（半光沢） | AS浴、バレル･ラック共用 | HS-220S |
| 硫酸浴、ラック用 | RS-26 | |
| AS浴、ウイスカ抑制効果、バレル･ラック共用 | UT-55Ⅱ | |
| AS浴、ウイスカ抑制効果、高電流作業、ラック用 | UT-55HDⅡ | |
| スズ-銀合金めっき（半光沢） | AS浴、ノンキレート、高電流作業、ラック用 | SEⅡ |
| AS浴、ノンキレート、バレル用 | SE-BLⅡ |
ＩＣリードフレーム用 ウイスカ抑制スズめっきプロセス （ウイスカバスター）
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| アルカリ電解脱脂 | WB-300効果を最適化、ノンキレート、低発泡 | WB-200 |
| エッチング | 加工変質層除去、ウイスカ防止に特殊効果付与 | WB-300 |
| 半光沢スズめっき | AS浴、適正な結晶粒子サイズ、内部応力小 | WB-500(HD) |
| 変色防止 | はんだ濡れ性劣化を防止 | WB-900 |
治具剥離
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| スズ、スズ-鉛合金用 | 電解タイプ、低発泡、スラッジ小、ラックレス装置に最適 | IC-461 |
| スズ-銀合金用 | 浸漬タイプ、剥離後のスマット小 | SA-10T |
| スズ-ビスマス合金用 | 電解タイプ、スラッジ小、ラックレス装置に最適 | IC-462W |
| スズ、スズ-銅合金用 | 浸漬タイプ | ST-401NC |
製品剥離
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| スズ、スズ-銀合金用 | 浸漬タイプ、フッ化物フリー | SA-421 |
変色防止プロセス
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| スズ、スズ合金用 | リン酸ソーダよりも高い効果、はんだ濡れ性劣化防止 | S-50 |
半導体ウェハ用めっき処理薬品
スズ‐銀めっき
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| バンプ用 | 半光沢タイプ、安定したAg析出比、均一電着性、リフロー性に優れる | JSOLDER BUHD |
硫酸銅めっき
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| 微細配線･バンプ用 | 無光沢タイプ、1液性で管理容易、硫黄フリー | XP-CS |
| 再配線･バンプ用 | 光沢タイプ、バンプトップが平坦形状 | BU2HA |
| TSV | こちらの製品につきましては弊社までお問合せ下さい。 |
スズめっき
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| バンプ用 | 液管理容易 | エバソルダ BUⅡ |
ニッケルめっき
| 適用工程 | 特 徴 | プロセス名 |
|---|---|---|
| バリア層 | 低応力、皮膜物性良好 | BNI |
