「TIPHARES　BUP」は銅ピラー用の硫酸銅めっきプロセス_※４です。銅ピラーとは、半導体のチップと基板を電気的に接続する銅製の小さな柱状の構造体です。近年、小さなデバイスの中に高機能なチップを高密度に搭載するため、半導体チップの垂直方向への多層化が進んでいます。このような構造において、高密度な配線形成が可能なことや電気抵抗の低さから、多層化への対応として現在厚膜の銅ピラーが多く利用されるようになってきました。厚膜銅ピラーを形成するには、めっき時間の短縮やめっき膜厚の均一性、平坦なトップ形状が重要な要件となります。
 
「TIPHARES　BUP」の特長は、①高電流密度での使用が可能②銅ピラー高さに対する良好な面内均一性、平坦なトップ形状③純度が高く抵抗値の低い優れた物性の3点です。
「TIPHARES　BUP」は10～50A/dm^２までの幅広い電流密度でめっきすることができます（撹拌・温度条件あり）。一般的な硫酸銅めっきでは、高い電流密度でめっきを行うとめっき被膜の析出異常やめっき膜厚の不均一性が発生しやすくなります。しかしながら本プロセスでは、高い電流密度においてもめっき膜厚の均一性および銅ピラーの平坦なトップ形状を保持しつつめっきすることが可能です。これにより厚膜銅ピラーを形成するのにかかるめっき時間を短縮することができます。また、幅広い電流密度に対応できることから、径が非常に小さい高アスペクト比の銅ピラーの形成においてもめっき時間の短縮が期待できます。以上のことから、「TIPHARES　BUP」は、厚膜銅ピラーの形成に適したプロセスとなっています。