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「キューブライトVF Ⅳ（CU-BRITE VF Ⅳ）」
次世代パッケージ基板は、高密度実装の実現のためセミアディティブ工法による高精細回路形成が主流となります。特にビアランド径の小型化や配線ピッチの狭小化に伴い、パッケージ内の回路粗密に起因するめっき厚バラツキが問題になってきました。キューブライトVF Ⅳプロセスは、BVHへのフィリング性能の低下がなく、面内均一性能を格段に向上させた硫酸銅めっきプロセスです。
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安価で信頼性の高い直流電源（DC）で高いパフォーマンスを実現します。 |
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ビア径100μmφ以下でアスペクト1以下のビアフィリングが可能です。 |
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陰極電流密度は2A/dm2でも高性能を維持できるため高生産性が実現できます。 |
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添加剤は2成分で構成されCVS分析で定量でき数値管理が可能です。 |
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添加剤の分解生成物はメンテナンス用活性炭カートリッジで容易に除去できます。 |
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アノードは不溶解性タイプを推奨いたします。 |
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粗部と密部による膜厚比較 |
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BVH断面写真(1.5A/dm2×70min : 21μm) |
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